|
[1]阎春辉;孙殿照;国红熙;朱世荣;黄运衡;李晓兵;曾一平;孔梅影;.金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs[J]高技术通讯.1992,(06)
|
|
[2]孙国胜,王雷,罗木昌,赵万顺,朱世荣,李晋闽,曾一平,林兰英.Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
|
|
[3]黄大定,刘超,李建平,高斐,孙殿照,朱世荣,孔梅影.GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
|
|
[4]孙国胜,罗木昌,王雷,朱世荣,李晋闽,林兰英.Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长[J]材料科学与工艺.2001,(03)
|
|
[5]李建平,黄大定,刘金平,刘学锋,李灵宵,朱世荣,孙殿照,孔梅影.低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]半导体学报.1999,(07)
|
|
[6]袁瑞霞，阎春辉，国红熙，李晓兵，朱世荣，李灵肖，曾一平，孔梅影.气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料[J]半导体学报.1994,(05)
|
|
[7]阎春辉，郑海群，范缇文，孔梅影，曾一平，黄运衡，朱世荣，孙殿照.分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究[J]半导体学报.1994,(10)
|
|
[8]袁瑞霞，阎春辉，国红熙，李晓兵，朱世荣，曾一平，李灵霄，孔梅影.气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料[J]半导体学报.1996,(01)
|
|
[9]王晓亮,孙殿照,孔梅影,张剑平,付荣辉,朱世荣,曾一平,李晋闽,林兰英.高质量GaN材料的GSMBE生长[J]半导体学报.1997,(12)
|
|
[10]曾一平,孔梅影,王晓亮,朱世荣,李灵霄,李晋闽.MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响[J]电子显微学报.1997,(04)
|
|
更多
|