郑中山
【姓名】 郑中山
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SIMOX,nMOSFET,氮注入,总剂量辐射,电子迁移率,阈值电压,埋氧层,注氮工艺,辐射硬度,部分耗尽,SIMON,MOSFET,耗尽型,电离辐射效应,氧氮,SOI材料,抗辐照,离子注入,电特性,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]郑中山;刘忠立;李宁;李国花;张恩霞;.Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers[J]半导体学报.2010,(02)
[2]王宁娟;刘忠立;李宁;张国强;于芳;郑中山;李国花;.注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文)[J]功能材料与器件学报.2007,(05)
[3]张恩霞,钱聪,张正选,王曦,张国强,李宁,郑中山,刘忠立.注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响[J]半导体学报.2005,(06)
[4]郑中山,刘忠立,张国强,李宁,范楷,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响[J]物理学报.2005,(01)
[5]李宁,张国强,刘忠立,范楷,郑中山,林青,张正选,林成鲁.部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]半导体学报.2005,(02)
[6]张国强,刘忠立,李宁,范楷,郑中山,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响[J]半导体学报.2005,(04)
[7]郑中山,刘忠立,张国强,李宁,李国花,马红芝,张恩霞,张正选,王曦.SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)[J]半导体学报.2005,(05)
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