张永刚
【姓名】 张永刚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 固相外延,注入硅,栅介质,辐射加固,JFET,硅表面,干法刻蚀,阈值电压,γ辐射,工艺仿真,硅膜,饱和电流,总剂量,转移特性,注入剂量,利用改进,刻蚀速率,反应离子,刻蚀工艺,电离辐射,纵横比,沟道,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陆建祖,魏红振,李玉鉴,张永刚,林世鸣,余金中,刘忠立.反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[2]刘忠立,和致经,于芳,张永刚,郁元桓.利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性[J]半导体学报.1999,(05)
[3]聂纪平,刘忠立,和致经,于芳,李国花,张永刚.辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应[J]半导体学报.1999,(08)
[4]高文钰,刘忠立,和致经,张永刚,梁秀琴,梁桂荣.硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响[J]半导体学报.1999,(10)
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