张书明
【姓名】 张书明
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 宽禁带半导体GaN基光电子材料与器件的研究
【发表文献关键词】 GaN,紫外探测器,立方相GaN,晶片键合,MOCVD,衬底去除,氮化镓,LED,工艺设计,立方相,晶片键合技术,在位监测,产业化,立方GaN,GaAs衬底,绿光LED,GaAs,英文,肖特基结构,生...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈贵锋;谭小动;万尾甜;沈俊;郝秋艳;唐成春;朱建军;刘宗顺;赵德刚;张书明;.纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性[J]物理学报.2011,(07)
[2]朱继红;王良吉;张书明;王辉;赵德刚;朱建军;刘宗顺;汪德生;杨辉;.Simulation of the light extraction efficiency of nanostructure light-emitting diodes[J]Chinese Physics B.2011,(07)
[3]乐伶聪;赵德刚;吴亮亮;邓懿;江德生;朱建军;刘宗顺;王辉;张书明;张宝顺;杨辉;.The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition[J]Chinese Physics B.2011,(12)
[4]张立群;张书明;江德生;朱建军;赵德刚;杨辉;.GaN基激光器的特性[J]红外与激光工程.2009,(01)
[5]张爽;赵德刚;刘宗顺;朱建军;张书明;王玉田;段俐宏;刘文宝;江德生;杨辉;.穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响[J]物理学报.2009,(11)
[6]张立群;张书明;江德生;王辉;朱建军;赵德刚;刘宗顺;杨辉;.GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate[J]Chinese Physics B.2009,(12)
[7]吴玉新;朱建军;赵德刚;刘宗顺;江德生;张书明;王玉田;王辉;陈贵锋;杨辉;.The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates[J]Chinese Physics B.2009,(10)
[8]刘文宝;赵德刚;江德生;刘宗顺;朱建军;张书明;杨辉;.高阻氮化镓外延层的异常光吸收[J]物理学报.2010,(11)
[9]邓懿;赵德刚;吴亮亮;刘宗顺;朱建军;江德生;张书明;梁骏吾;.器件参数对GaN基n~+-GaN/i-Al_x Ga_(1-x)N/n~+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响[J]物理学报.2010,(12)
[10]季莲;江德生;张书明;刘宗顺;曾畅;赵德刚;朱建军;王辉;段俐宏;杨辉;.Time delay in InGaN multiple quantum well laser diodes at room temperature[J]Chinese Physics B.2010,(12)
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]张书明;.AlGaN/GaN超晶格材料生长及其子带间跃迁机理研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 27万元.2004-03-31.资助文献数 2 篇
[2]张书明;.氮化镓基激光器的关键科学与技术问题研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 240万元.2008-03-20.资助文献数 2 篇
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