张方方
【姓名】 张方方
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 3C-SiC,SiC,Si,表面再构,Raman光谱,单晶,外延生长,碳化,原子,碳化温度,外延层,碳化层,失配,四边形,Ｘ射线,表面缺陷,碳化过程,生长初期,孪晶,缓冲层,成核几率,向外扩散,分子束...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]王引书,李晋闽,张方方,林兰英.Si(100)衬底上SiC的外延生长[J]材料研究学报.2000,(S1)
[2]王引书,李晋闽,张方方,林兰英.Si(100)面上3C-SiC的生长[J]半导体学报.1999,(07)
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