杨子祥
【姓名】 杨子祥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 磷化铟(InP),液封直拉法(LEC),半绝缘,磷化,孪晶,固液界面,磷化铟单晶,高质量,晶向,深能级缺陷,单晶材料,位错密度,非化学配比,均匀性,抛光技术,砷化铟,掺杂剂,抛光表面,磷化铟,缺陷,衬...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;杨子祥;吕旭如;王应利;.高质量InAs单晶材料的制备及其性质[J]半导体学报.2006,(08)
[2]赵有文;董志远;孙文荣;段满龙;杨子祥;吕旭如;.磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备[J]半导体学报.2006,(12)
[3]赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,曹慧梅,吕旭如.提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究[J]人工晶体学报.2003,(05)
[4]赵有文,董志远,段满龙,孙文荣,杨子祥,吕旭如,王应利.半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文)[J]人工晶体学报.2004,(04)
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