阎增新
【姓名】 阎增新
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化膜,SiO_2薄膜,硅表面,动电荷,氧化过程,吸收效应,样片,离子微探针,电学稳定性,热氧化膜,氧化层,清洗方法,HC氧化,湿氧氧化,SiO2薄膜,干氧氧化,氧化能,分层剥离,正电荷,密度,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]谢宗钧,李和炳,阎增新.硅表面SiO_2薄膜中钠的沾污[J]物理.1980,(05)
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