吴文刚
【姓名】 吴文刚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 超晶格量子阱器件的研究
【发表文献关键词】 重掺杂,应变,量子阱,锗硅合金,红外探测器,量子,p型Si,子带间,非对称,应变层,双色探测器,禁带,探测器,能带结构,光电流,台阶,红外,暗电流,双色红外探测器,黑体探测率,光电流响应,GaAs/G...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]吴文刚,张万荣,江德生,罗晋生.p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算[J]电子科学学刊.1996,(06)
[2]崔丽秋,江德生,张耀辉,吴文刚,刘伟,宋春英,李月霞,孙宝权,王若桢.GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究[J]半导体学报.1997,(08)
[3]吴文刚,常凯,江德生,李月霞,郑厚植.3～5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器[J]半导体学报.1998,(03)
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