王玉田
【姓名】 王玉田
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Si1-xCx合金,固相外延,晶面倾斜,预注入,离子注入,损伤缺陷,GaN,应变分布,C离子,合金,横向外延生长,同步辐射X光衍射,双晶X射线衍射,晶片键合,衬底去除,C原子,X射线双晶衍射,外延膜,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张爽;赵德刚;刘宗顺;朱建军;张书明;王玉田;段俐宏;刘文宝;江德生;杨辉;.穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响[J]物理学报.2009,(11)
[2]吴玉新;朱建军;赵德刚;刘宗顺;江德生;张书明;王玉田;王辉;陈贵锋;杨辉;.The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates[J]Chinese Physics B.2009,(10)
[3]郭希;王玉田;赵德刚;江德生;朱建军;刘宗顺;王辉;张书明;邱永鑫;徐科;杨辉;.Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray diffraction[J]Chinese Physics B.2010,(07)
[4]郭希;王辉;江德生;王玉田;赵德刚;朱建军;刘宗顺;张书明;杨辉;.Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques[J]Chinese Physics B.2010,(10)
[5]吴玉新;朱建军;陈贵锋;张书明;江德生;刘宗顺;赵德刚;王辉;王玉田;杨辉;.Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si(111) substrate with AlGaN interlayer[J]Chinese Physics B.2010,(03)
[6]王良吉;张书明;朱继红;朱建军;赵德刚;刘宗顺;江德生;王玉田;杨辉;.Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices[J]Chinese Physics B.2010,(01)
[7]卢国军;朱建军;江德生;王玉田;赵德刚;刘宗顺;张书明;杨辉;.Structural and optical properties of Al_(1-x)In_xN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition[J]Chinese Physics B.2010,(02)
[8]马志芳;王玉田;江德生;赵德刚;张书明;朱建军;刘宗顺;孙宝娟;段瑞飞;杨辉;梁骏吾;.MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究(英文)[J]半导体学报.2008,(07)
[9]冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,王玉田,杨辉,梁骏吾.GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量[J]中国科学G辑:物理学、力学、天文学.2003,(02)
[10]陈俊,张书明,张宝顺,朱建军,冯淦,段俐宏,王玉田,杨辉,郑文琛.缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响[J]中国科学E辑:技术科学.2004,(01)
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