王建峰
【姓名】 王建峰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 界面粗糙度,InGaN/GaN多量子阱,x射线三轴晶衍射,多量子阱,孪晶现象,金属有机物,TMGa,MOCVD法,化学气相沉积,位错,GaAs,GaN,氮化物,高分辨X射线衍射,背散射/沟道,外延膜,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈俊;王建峰;王辉;赵德刚;朱建军;张书明;杨辉;.蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低(英文)[J]半导体学报.2006,(03)
[2]侯利娜;姚淑德;周生强;赵强;王坤;丁志博;王建峰;.带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究[J]原子能科学技术.2006,(05)
[3]李德尧;张书明;王建峰;陈俊;陈良惠;种明;朱建军;赵德刚;刘宗顺;杨辉;梁骏吾;.蓝紫光InGaN多量子阱激光器[J]中国科学(E辑:技术科学).2007,(03)
[4]孙佳胤;陈静;王曦;王建峰;刘卫;朱建军;杨辉;.基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制[J]功能材料与器件学报.2007,(04)
[5]张纪才,王建峰,王玉田,杨辉.In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响[J]物理学报.2004,(08)
[6]沈晓明,王玉田,王建峰,刘建平,张纪才,郭立平,贾全杰,姜晓明,胡正飞,杨辉,梁骏吾.低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
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