王国宏
【姓名】 王国宏
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 LED、激光器、探测器材料的MOCVD生长及工艺研究
【发表文献关键词】 AlGaInP,LP-MOCVD,低压有机金属气相外延,发光二极管,GaNAs,高分辨X射线双晶衍射,沾污,激光二极管列阵,GaAs/AlGaAs,叠层,金属有机化学气相沉积,电流扩散层,高亮度,二次...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到37篇
[1]王兵;赵云;伊晓燕;王国宏;刘志强;段瑞飞;黄鹏;王军喜;李晋闽;.Direct growth of graphene on gallium nitride using C_2H_2 as carbon source[J]Frontiers of Physics.2016,(02)
[2]苏康;李璟;葛畅;陆兴东;李志聪;王国宏;李晋闽;.Stackable luminescent device integrating blue light emitting diode with red organic light emitting diode[J]Chinese Physics B.2020,(04)
[3]赵勇兵;程哲;张韵;伊晓燕;王国宏;.具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文)[J]电工技术学报.2018,(07)
[4]赵勇兵;张韵;程哲;黄宇亮;张连;刘志强;伊晓燕;王国宏;李晋闽;.具有高开启/关断电流比的Al_2O_3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文)[J]发光学报.2016,(05)
[5]赵勇兵;张韵;程哲;黄宇亮;张连;刘志强;伊晓燕;王国宏;李晋闽;.具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(英文)[J]发光学报.2016,(06)
[6]王军喜;刘喆;魏同波;王国宏;.第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用[J]新材料产业.2014,(03)
[7]梁萌;王国宏;李鸿渐;李志聪;姚然;王兵;李盼盼;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽;.Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates[J]Journal of Semiconductors.2012,(11)
[8]詹腾;张扬;李璟;马骏;刘志强;伊晓燕;王国宏;李晋闽;.The design and fabrication of a GaN-based monolithic light-emitting diode array[J]Journal of Semiconductors.2013,(09)
[9]卢鹏志;杨华;王国宏;.Luminous efficacy and color rendering index of high power white LEDs packaged by using red phosphor[J]半导体学报.2011,(01)
[10]王兵;李志聪;姚然;梁萌;闫发旺;王国宏;.GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长[J]物理学报.2011,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽;.非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[2]范曼宁;梁萌;王国宏;.LCD用LED背光中的取代滤色膜技术[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[3]江李;林涛;韦欣;王国宏;张广泽;马骁宇;李献杰;.OEIC用HBT材料的MOCVD生长技术研究[A].大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集.2004-06-30
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]王国宏;.新型大功率器件技术研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 0.2006-10-30.资助文献数 0
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