王宝强
【姓名】 王宝强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAs/GaAs,单层生长,优化,外延层,原子力显微镜,分子束外延,量子阱宽度,二维电子气,Shubnikov-de Haas振荡,高电子迁移率晶体管,应变外延层,光电器件,优化生长,载流子浓度...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张杨;张雨溦;王成艳;关敏;崔利杰;李弋洋;王宝强;朱战平;曾一平;.High sensitivity Hall devices with AlSb/InAs quantum well structures[J]Chinese Physics B.2013,(05)
[2]吴巨;曾一平;王宝强;朱占平;王占国;.快速率生长MBE InAs/GaAs(001)量子点[J]微纳电子技术.2009,(02)
[3]吴巨;金鹏;曾一平;王宝强;王占国;.薄膜和量子点的外延生长(英文)[J]微纳电子技术.2010,(06)
[4]高宏玲;李东临;周文政;商丽燕;王宝强;朱战平;曾一平;.不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究[J]物理学报.2007,(08)
[5]段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平.低温下应变外延层的单层生长(英文)[J]半导体学报.2003,(04)
[6]段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平.自组织量子点的优化生长(英文)[J]半导体学报.2003,(10)
[7]高宏玲;曾一平;王宝强;朱战平;王占国;.Influence of Ⅴ/Ⅲ ratio on the structural and photoluminescence properties of In_(0.52) AlAs/In_(0.53) GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy[J]Chinese Physics B.2008,(03)
[8]傅纲;杨玉芬;吴晓东;彭斌;王宝强;张志谱;.8mmFMCW测距雷达测距精度的改进[J]电波科学学报.1991,(Z1)
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