孙小玲
【姓名】 孙小玲
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOCVD生长,立方相GaN,六角相含量,InGaN,立方GaN,外延薄膜,GaN,光学性质,立方相,GaAs,六方相,光致发光,热退火,喇曼,TEGa,界面层,原子,声子模,声子,MOCVD方法,火...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李顺峰,杨辉,徐大鹏,赵德刚,孙小玲,王玉田,张书明.高质量立方相InGaN的生长[J]半导体学报.2000,(06)
[2]孙小玲,杨辉,李国华,郑联喜,李建斌,王玉田,王占国.GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究[J]半导体学报.1999,(03)
[3]孙小玲,杨辉,王玉田,李国华,郑联喜,李建斌,徐大鹏,王占国.MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究[J]中国科学(A辑).1999,(05)
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