任庆余
【姓名】 任庆余
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 晶格失配,范性形变,双晶衍射,外延片,x射线,形貌像,GaAs,形貌,弹性形变,X射线,缺陷密度,GaAs衬底,外延层,衬度,单晶,双异质结,技术研究,射表,反常透射,垂直应变,晶格常数,外延,激光器...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]高维滨,石志文,任庆余,鞠静丽.用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷[J]半导体学报.1981,(04)
[2]高维滨,余金中,任庆余,鞠静丽,石志文,马国荣.用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷[J]半导体光电.1981,(02)
[3]王玉田,李成基,任庆余.MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统晶格失配的研究[J]半导体学报.1989,(08)
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