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冉军学

【姓名】	冉军学
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;自动化技术;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】	p-GaN,Mg掺杂,AlGaN/GaN,MOCVD,PL谱,高电子迁移率晶体管,势垒层,功率器件,HEMT,Mg掺杂GaN,二维电子气,功率密度,MOCVD生长,方块电阻,中国科学院,蓝宝石衬底,A...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到12篇

[1]朱燕明;林日成;郑伟;冉军学;黄丰;.AlN的近真空紫外非周期振荡发射（英文）[J]Science Bulletin.2020,(10)

[2]闫建昌;孙莉莉;冉军学;王军喜;.紫外发光二极管材料和器件研发热点[J]照明工程学报.2018,(06)

[3]杜泽杰;段瑞飞;魏同波;张硕;王军喜;曾一平;冉军学;李晋闽;.使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED[J]半导体技术.2017,(09)

[4]殷海波;王晓亮;冉军学;胡国新;张露;肖红领;李璟;李晋闽;.High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system[J]半导体学报.2011,(03)

[5]王新华;王晓亮;冯春;冉军学;肖红领;杨翠柏;王保柱;王军喜;.AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器[J]半导体学报.2008,(01)

[6]冯春;王晓亮;王新华;肖红领;王翠梅;胡国新;冉军学;王军喜;.AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究[J]半导体学报.2008,(07)

[7]王晓亮,王翠梅,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,冉军学,钱鹤,曾一平,李晋闽.RF-MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaN HEMT结构(英文)[J]半导体学报.2005,(06)

[8]王晓亮,刘新宇,胡国新,王军喜,马志勇,王翠梅,李建平,冉军学,郑英奎,钱鹤,曾一平,李晋闽.输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文)[J]半导体学报.2005,(10)

[9]冉军学,王晓亮,胡国新,王军喜,李建平,曾一平,李晋闽.MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究[J]半导体学报.2005,(03)

[10]殷海波;王晓亮;冉军学;胡国新;肖红领;王翠梅;杨翠柏;李晋闽;侯洵;.MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化[J]半导体技术.2008,(S1)

中国重要会议全文数据库 共找到6篇

[1]殷海波;王晓亮;胡国新;冉军学;张露;肖红领;李晋闽;.MOCVD生长Mg掺杂p型GaN薄膜材料的研究[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[2]冉军学;胡国新;肖红领;殷海波;张露;王晓亮;李晋闽;.7片2英寸氮化物MOCVD设备及材料研制[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[3]冉军学;王晓亮;胡国新;张露;殷海波;肖红领;李晋闽;.GaN MOCVD控制系统设计与研制[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[4]殷海波;王晓亮;冉军学;胡国新;肖红领;王翠梅;杨翠柏;李晋闽;侯洵;.MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[5]姜丽娟;王晓亮;王翠梅;肖红领;冉军学;李晋闽;王占国;侯洵;.过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[6]肖红领;王晓亮;张明兰;马志勇;王翠梅;杨翠柏;唐健;冉军学;李晋闽;王占国;侯洵;.AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30