倪海侨
【姓名】 倪海侨
【职称】
【研究领域】 材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InAs,分子束外延,表面形貌,GaAs,纳米,结构形貌,演化机制,分子束,量子线,外延生长,自组织,衬底温度,半导体超晶格,台阶,dots,应变能,微结构,界面能,台阶积累,表面能,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]苗振华,龚政,方志丹,倪海侨,牛智川.GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制[J]红外.2004,(09)
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