刘荣寰
【姓名】 刘荣寰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 瞬态辐照,载流子浓度,LPE,加固,集成电路,外延片,新实验,实验结果,发光亮度,磷化镓晶体,输入保护电路,辐照前,发光效率,保护电路,幅度衰减,电路,输入保护,外延层,静态功耗,磷化镓,工作状态,C...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李桂英,刘荣寰,杨锡震,王亚非,桑丽华.GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布[J]稀有金属.1999,(06)
[2]刘荣寰,刘忠立,茅冬生,和致经,于芳.加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果[J]核电子学与探测技术.1992,(02)
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