刘成海
【姓名】 刘成海
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氮化镓,二维电子气,分子束外延,GaN,GSMBE,RF-MBE,光致发光,AlGaN/GaN,HFET,高质量,极化,极化场,MBE生长,NH_3,极化感应,族氮化物材料,外延材料,中国科学院,光峰...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]半导体学报.2003,(06)
[2]孙殿照,王晓亮,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,侯洵,林兰英.GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]半导体学报.2000,(07)
[3]孙殿照,刘宏新,王军喜,王晓亮,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[4]孙殿照,胡国新,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料[J]半导体学报.2001,(11)
[5]胡国新,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料[J]材料科学与工艺.2001,(03)
[6]王军喜,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,侯洵,林兰英.高质量氮化镓材料的光致发光研究[J]应用光学.2001,(02)
[7]孙殿照,王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
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