李瑞云
【姓名】 李瑞云
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,双异质外延,电学性质,SOS,半导体致冷,迁移率,恒温槽,恒温浴,杂质浓度,离化,反应源,电子迁移率,极性光学声子散射,Si薄膜,温控仪,恒温装置,CMOS,内胆,介质液体,半导体致冷器件,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英.双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件[J]半导体学报.2004,(07)
[2]昝育德,李瑞云,王俊,林兰英.半导体致冷恒温浴槽[J]半导体学报.1999,(08)
[3]徐寿定,李瑞云.高纯VPE-GaAs、LPE-GaAs的电学性质[J]半导体学报.1983,(04)
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