李歧旺
【姓名】 李歧旺
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单晶薄膜,外延层,分子束外延,GaAs,砷化镓,积灵敏度,Hall器件,电压相关,不等位电压,阴极荧光,外延生长,载流子浓度,MBE生长,迁移率,霍尔器件,InAs,敏度,电阻温度系数,电学性能,底表...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]周宏伟,曾一平,李歧旺,王红梅,潘量,孔梅影.MBE生长的InAs薄膜Hall器件[J]半导体学报.1999,(10)
[2]周宏伟,曾一平,李歧旺,卫微,王红梅,孔梅影.InAs薄膜Hall器件[J]传感器技术.1998,(05)
[3]孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺.分子束外延GaAs单晶薄膜[J]稀有金属.1984,(06)
[4]孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺.分子束外延砷化镓单晶薄膜[J]半导体学报.1984,(02)
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