李建斌
【姓名】 李建斌
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 立方GaN,X光双晶衍射,立方相GaN,立方相,MOCVD,六角相含量,MOCVD生长,GaAs,外延薄膜,GaN,双晶衍射,光学性质,六方相,X射线,峰位置,热退火,六角相,光致发光,喇曼,界面层,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]孙小玲,杨辉,李国华,郑联喜,李建斌,王玉田,王占国.GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究[J]半导体学报.1999,(03)
[2]赵德刚,杨辉,徐大鹏,李建斌,王玉田,郑联喜,李顺峰,王启明.立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究[J]半导体学报.1999,(08)
[3]孙小玲,杨辉,王玉田,李国华,郑联喜,李建斌,徐大鹏,王占国.MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究[J]中国科学(A辑).1999,(05)
[4]徐大鹏,王玉田,杨辉,郑联喜,李建斌,段俐宏,吴荣汉.立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究[J]中国科学(A辑).1998,(12)
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