鞠静丽
【姓名】 鞠静丽
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 俄歇,外延片,x射线,GaAs,形貌像,形貌,X射线,缺陷密度,电子能谱,GaAs衬底,异质结构,过渡层,外延生长,异质结界面,俄歇信号,衬度,溅射速率,单晶,溅射,双异质结,液相,技术研究,外延层,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]高维滨,石志文,任庆余,鞠静丽.用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷[J]半导体学报.1981,(04)
[2]余金中,石志文,鞠静丽,马国荣.液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的均匀性[J]半导体光电.1981,(02)
[3]余金中,鞠静丽,石志文,马国荣,刘福源,王维明.液相外延生长的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构的俄歇电子谱研究[J]半导体光电.1981,(02)
[4]高季林,石志文,田慧良,余金中,鞠静丽.用瞬态电容谱技术观察AlGaAs DH结构中的深能级[J]半导体光电.1981,(02)
[5]高维滨,余金中,任庆余,鞠静丽,石志文,马国荣.用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷[J]半导体光电.1981,(02)
[6]余金中,鞠静丽,石志文,马国荣,刘福源,王维明.液相外延生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构的俄歇电子能谱[J]半导体学报.1982,(01)
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