金才政
【姓名】 金才政
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOCVD生长,激光器,单量子阱,大功率,张应变,InGaAsP/InP,MOVPE,单量子阱激光器,半导体激光器,线缺陷,光功率密度,压应变,光纤,光纤耦合,电子工艺,AlGaAs,偏振补偿,集成光...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈少武,韩勤,胡传贤,金才政.大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统[J]半导体学报.2001,(12)
[2]郑联喜，肖智博，韩勤，金才政，周帆，马朝华，胡雄伟.MOCVD生长大功率单量子阱激光器[J]半导体学报.1996,(05)
[3]王志杰,陈博,王圩,张济志,朱洪亮,周帆,金才政,马朝华,王启明.LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性[J]半导体学报.1997,(03)
[4]朱东海,王占国,梁基本,徐波,朱战萍,张隽,龚谦,金才政,丛立方,胡雄伟,韩勤,方祖捷,刘斌,屠玉珍.高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性[J]半导体学报.1997,(05)
[5]周小茵,金才政.微处理机在C—V测试中的应用[J]微电子学与计算机.1985,(02)
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