吉秀江
【姓名】 吉秀江
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深中心,能级,深能级,P-Si,图形表,示方法,物理行为,陷阱,新能级,量子点,DLTS,空穴发射,时基发生器,俘获截面,空穴,象限,退火温度,结区,载流,3d过渡金属,点阵,偏置脉冲,过渡元素,淬火...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]王志明,吕振东,封松林,赵谦,李树英,吉秀江,陈宗圭,徐仲英,郑厚植.不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响[J]半导体学报.1997,(09)
[2]王志明,吕振东,封松林,赵谦,李树英,吉秀江,陈宗圭,徐仲英,郑厚植.自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应[J]红外与毫米波学报.1997,(06)
[3]阮圣央,张砚华,郑秉茹,杨锡权,吉秀江.深中心行为图形表示方法的探讨[J]半导体学报.1983,(06)
[4]阮圣央,周洁,张砚华,吉秀江,郑秉茹,李树英,杨锡权,谭飞.Si:Pd深能级的研究[J]半导体学报.1984,(03)
[5]阮圣央,吉秀江.采用PSD率窗的DDLTS系统[J]电子学报.1987,(04)
[6]周洁,阮圣央,郝灴,葛惟锟,吉秀江,李树英.关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别[J]半导体学报.1987,(03)
[7]周洁,阮圣央,郝灴,葛惟锟,吉秀江,李树英.Pd在P-Si中的物理行为[J]半导体学报.1987,(03)
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