黄运衡
【姓名】 黄运衡
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;机械工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单晶薄膜,分子束外延,外延层,GaAs,异质结,砷化镓,GaAlAs,阴极荧光,迁移率,AIGaAs,载流子浓度,氮化硼,外延生长,选择性,P型,底表面,坩埚,束源,电学性能,生长条件,空穴浓度,量子...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]阎春辉;孙殿照;国红熙;朱世荣;黄运衡;李晓兵;曾一平;孔梅影;.金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs[J]高技术通讯.1992,(06)
[2]阎春辉，郑海群，范缇文，孔梅影，曾一平，黄运衡，朱世荣，孙殿照.分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究[J]半导体学报.1994,(10)
[3]王晓亮,孙殿照,李晓兵,黄运衡,朱世荣,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英.GaN材料的GSMBE生长[J]高技术通讯.1997,(03)
[4]孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺.分子束外延GaAs单晶薄膜[J]稀有金属.1984,(06)
[5]孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺.分子束外延砷化镓单晶薄膜[J]半导体学报.1984,(02)
[6]陈宗圭,梁基本,孙殿照,黄运衡,孔梅影.分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结[J]半导体学报.1984,(06)
[7]赵凤呜,黄运衡.热解氮化硼(PBN)坩埚的研制及在分子束外延中的应用[J]稀有金属.1985,(01)
[8]黄运衡;赵凤鸣;.热解氮化硼在分子束外延中的应用[J]真空科学与技术.1985,(04)
[9]梁基本,孙殿照,陈宗圭,黄运衡,孔梅影.分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜[J]半导体学报.1986,(06)
[10]赵凤鸣;黄运衡;.热解氮化硼坩埚的研制及其在分子束外延中的应用[J]硅酸盐通报.1986,(05)
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