黄大定
【姓名】 黄大定
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;化学;物理学;
【研究方向】 SiGe半导体材料的化学束外延生长研究
【发表文献关键词】 质量分离,离子束外延,外延层,低能离子束,硅单晶,双离子束淀积,氧化铈,硅外延,外延,热处理,深度剖析,GSMBE,热裂解,氧化硅,过渡区,自掺杂,化学配比,科学实验室,CeO_2／Si异质结构,异质...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]黄大定;郑雷;.黄芝冈年谱（1923-1939）[J]艺海.2022,(12)
[2]黄大定;郑雷;.黄芝冈年谱（1940-1949）[J]艺海.2023,(01)
[3]黄大定;郑雷;.黄芝冈年谱(1950—1959)[J]艺海.2023,(02)
[4]黄大定;郑雷;.黄芝冈年谱（1960-1969）[J]艺海.2023,(03)
[5]黄大定;郑雷;.黄芝冈年谱（1970—2015）[J]艺海.2023,(04)
[6]黄大定;郑雷;.黄芝冈年谱（1895-1922）[J]艺海.2022,(11)
[7]黄大定,刘超,李建平,高斐,孙殿照,朱世荣,孔梅影.GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
[8]刘学锋,李晋闽,孔梅影,黄大定,李建平,林兰英.用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管[J]半导体学报.2000,(02)
[9]张秀兰,朱文珍,黄大定.GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布[J]半导体学报.2001,(03)
[10]邹德恕,徐晨,陈建新,史辰,杜金玉,高国,沈光地,黄大定,李建平,林兰英.GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料[J]半导体学报.2001,(08)
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[1]秦复光;姚振钰;江海;刘志凯;黄大定;林兰英;武国英;郝一龙;李志宏;张国炳;陈文茹;顾页;.在有图形衬底上COSi_2的选择生长[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23
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