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[1]魏珂;刘新宇;和致经;吴德馨;.具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性[J]半导体学报.2008,(03)
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[2]刘新宇,孙海峰,刘洪民,陈焕章,扈焕章,海潮和,和致经,吴德馨.全耗尽CMOS/SOI工艺[J]半导体学报.2003,(01)
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[3]刘新宇,孙海峰,陈焕章,扈焕章,海潮和,刘忠立,和致经,吴德馨.部分耗尽CMOS/SOI工艺[J]半导体学报.2001,(06)
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[4]刘新宇,刘运龙,孙海锋,海潮和,吴德馨,和致经,刘忠立.氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性[J]半导体学报.2001,(12)
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[5]刘新宇,孙海峰,海潮和,和致经,吴德馨.一种新型的SOI灵敏放大器[J]电子学报.2001,(06)
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[6]刘新宇,刘运龙,孙海锋,吴德馨,和致经,刘忠立.CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验[J]半导体学报.2002,(02)
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[7]高文钰,刘忠立,和致经,于芳,梁桂荣,李国花.硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响[J]半导体学报.1999,(05)
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[8]刘忠立,和致经,于芳,张永刚,郁元桓.利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性[J]半导体学报.1999,(05)
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[9]聂纪平,刘忠立,和致经,于芳,李国花,张永刚.辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应[J]半导体学报.1999,(08)
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[10]高文钰,刘忠立,和致经,张永刚,梁秀琴,梁桂荣.硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响[J]半导体学报.1999,(10)
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