顾铨
【姓名】 顾铨
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背散射测量,砷注入,浓度分布,单晶硅,注入剂量,退火条件,S原子,热退火,原子,注入能量,中科院,RP值,砷离子,高斯分布,未退火,退火温度,背散射,晶向,散射截面,掠角背散射,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]殷士端,张敬平,顾铨,钟士谦,王振明,谢葆珍,刘世杰.用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布[J]微细加工技术.1983,(01)
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