葛永才
【姓名】 葛永才
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 减薄技术,选择阳极氧化,InGaA/AlGaN,双异质结,6H-SiC,绿光LED,半导体工艺,阳极氧化法,牺牲层,肖特基势垒二极管,薄法,多孔硅,氧化多孔硅,微传声器,硅基电容式微传声器,肖特基,碳...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才.用氧化多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器(英文)[J]半导体学报.2003,(05)
[2]宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才.用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构[J]功能材料与器件学报.2003,(03)
[3]宁瑾,刘忠立,刘焕章,葛永才.多孔硅在电容式微传声器制备中的应用研究[J]微细加工技术.2003,(01)
[4]陆大成,韩培德,刘祥林,王晓晖,汪度,袁海荣,王良臣,徐萍,姚文卿,高翠华,刘焕章,葛永才,郑东.InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管[J]半导体学报.2000,(04)
[5]王姝睿,刘忠立,徐萍,葛永才,姚文卿,高翠华.6H-SiC高压肖特基势垒二极管[J]半导体学报.2001,(08)
[6]高凤升,龚秀英,葛永才.一种新的非均匀减薄法——选择阳极氧化法[J]电子科学学刊.1991,(02)
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