高淑芬
【姓名】 高淑芬
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 质子轰击,InGaAsP/InP,PN结,深能级,InGaAsP,双异质结激光器,激光器,有源层,InP激光器,V-I特性,缓冲层,GaInAs,GaAs,偏位,四元系,异质结,条形激光器,限制层,I...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]朱龙德,张盛廉,汪孝杰,王莉,高淑芬.质子轰击条形InGaAsP/InP双异质结激光器[J]半导体学报.1981,(03)
[2]葛玉如,高淑芬,王莉,汪孝杰,张盛廉,朱龙德.应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响[J]半导体学报.1982,(02)
[3]高季林,吴荣汉,李照银,高淑芬.(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级[J]半导体学报.1985,(03)
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