段满龙
【姓名】 段满龙
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深能级缺陷,磷化铟(InP),液封直拉法(LEC),磷化,磷化铟,半绝缘,孪晶,固液界面,磷化铟单晶,退火气氛,晶向,均匀性,高质量,磷化铁,单晶材料,位错密度,高温退火处理,非化学配比,成晶,抛光技...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]赵有文;段满龙;卢伟;杨俊;董志远;刘刚;高永亮;杨凤云;王风华;王俊;刘京明;谢辉;王应利;卢超;.4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究[J]人工晶体学报.2017,(05)
[2]杨俊;段满龙;卢伟;刘刚;高永亮;董志远;王俊;杨凤云;王凤华;刘京明;谢辉;王应利;卢超;赵有文;.低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备[J]人工晶体学报.2017,(05)
[3]刘京明;刘彤;杨俊;陶东言;段满龙;董志远;赵有文;李百泉;.AlN原料的钨网炉高温提纯[J]材料科学与工程学报.2015,(04)
[4]胡炜杰;赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;杨俊;.Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals[J]半导体学报.2010,(04)
[5]胡炜杰;赵有文;段满龙;王应利;王俊;.InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析[J]人工晶体学报.2010,(04)
[6]赵有文;董志远;魏学成;段满龙;李晋闽;.化学气相传输法生长ZnO单晶[J]半导体学报.2006,(02)
[7]赵有文;董志远;李成基;段满龙;孙文荣;.半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制[J]半导体学报.2006,(03)
[8]赵有文;董志远;魏学成;段满龙;李晋闽;.化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究[J]人工晶体学报.2006,(02)
[9]赵有文;董志远;魏学成;段满龙;李晋闽;.升华法生长AlN体单晶初探[J]半导体学报.2006,(07)
[10]赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;杨子祥;吕旭如;王应利;.高质量InAs单晶材料的制备及其性质[J]半导体学报.2006,(08)
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