曹友琦
【姓名】 曹友琦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氮化硅,硅膜,氮化,低压化学汽相淀积,湿氧氧化,抗氧化能力,氮化硅膜,场氧,氧含量,俄歇,氧化速率,氧化时间,常压,单晶硅,高压氧化,电子能,深度分布,组份比,元素,二次离子,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]曹友琦.低压化学汽相淀积氮化硅膜的成份和抗氧化能力的测定[J]半导体学报.1982,(05)
[2]石万全;姚德成;刘世祥;朱美芳;曹友琦;商作起;虞加峰;.CVD多晶硅薄膜的脉冲染料激光退火[J]激光与红外.1984,(08)
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