卜俊鹏
【姓名】 卜俊鹏
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,机理分析,抛光晶片,抛光,损伤层,抛光速率,亚表面,晶片,回摆曲线,亚表面损伤层,化学机械抛光,切片,研磨片,砷化镓,化学去除,表面损伤,晶片均匀性,SI-GaAs,表面损伤层,Ｘ射线,抛光...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]卜俊鹏,郑红军,赵冀,朱蓉辉,尹玉华.超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺[J]半导体学报.2003,(04)
[2]郑红军,卜俊鹏,尹玉华,白玉柯.GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[3]郑红军,卜俊鹏,何宏家,吴让元,曹福年,白玉珂,惠峰.GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析[J]固体电子学研究与进展.1999,(01)
[4]郑红军,卜俊鹏,曹福年,白玉柯,吴让元,惠峰,何宏家.砷化镓晶片表面损伤层分析[J]稀有金属.1999,(04)
[5]卜俊鹏,郑红军,何宏家,吴让元.GaAs晶片化学机械抛光的机理分析[J]固体电子学研究与进展.1997,(04)
[6]曹福年,卜俊鹏,吴让元,郑红军,惠峰,白玉珂,刘明焦,何宏家.X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度[J]半导体学报.1998,(08)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]刘明焦;曹福年;白玉珂;惠峰;吴让元;卜俊鹏;何宏家;.SI—GaAs中砷沉淀与微观均匀性的关系[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[2]卜俊鹏;曹福年;白玉珂;吴让元;惠峰;刘明焦;何宏家;.SI-GaAs~(29)Si~+离子注入层性能研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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