王小波
【姓名】 王小波
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 氮化硅发光特性的研究
【发表文献关键词】 光致发光,纳米硅镶嵌结构,LPCVD,硅镶嵌的SiNx膜,内应力,纳米硅,氮化硅薄膜,快速退火(RTA),SiN_x薄膜,沉积温度,可见荧光,微结构,富硅氮化硅,低压化学气相沉积,缺陷态,SiNx膜,...
【工作单位】 中国科学院研究生院
【曾工作单位】 中国科学院研究生院;
【所在地域】 北京
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[1]陈超;刘渝珍;董立军;陈大鹏;王小波;.C~+注入a-SiN_x∶H的原子化学键合的研究[J]半导体学报.2007,(03)
[2]王小波;阎常峰;赵增立;潘守聚;李海滨;陈勇;.垃圾焚烧飞灰熔融污染物排放研究[J]燃料化学学报.2008,(06)
[3]董立军,刘渝珍,陈大鹏,王小波.富硅氮化硅薄膜的荧光发射[J]发光学报.2005,(03)
[4]刘渝珍,陈大鹏,王小波,董立军.沉积温度对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响[J]半导体学报.2005,(08)
[5]王小波,刘渝珍,奎热西,董立军,陈大鹏.SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响[J]发光学报.2005,(04)
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