汤洪高
【姓名】 汤洪高
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 固源分子束外延,硅衬底,碳化硅薄膜,衬底温度,碳化硅单晶,反射高能电子衍射,异质外延生长,碳化温度,结晶质量,单晶薄膜,摇摆曲线,生长过程,取向关系,外延膜,样品,化学配比,晶格失配,外延薄膜,半高宽...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 安徽合肥
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[1]刘金锋;刘忠良;王科范;徐彭寿;汤洪高;.Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长[J]真空科学与技术学报.2007,(01)
[2]刘金锋;刘忠良;武煜宇;徐彭寿;汤洪高;.衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响[J]无机材料学报.2007,(04)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]徐彭寿;刘金锋;刘忠良;王科范;汤洪高;.SiC薄膜的MBE外延生长及其结构表征[A].第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2006-11-01
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