刘新进
【姓名】 刘新进
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 杂质浓度,反常高电子迁移率,碲镉汞,红外透射法,红外透射,HgCdTe晶片,晶片,本征浓度,红外材料,组分均匀性,高均匀性,HgCdTe,组分,非均匀性,横向组,测试条件,载流子浓度,电子迁移,测量值...
【工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所
【曾工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所;
【所在地域】 昆明
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[1]李富培,李玉德,郭云成,庄维莎,刘新进.碲溶剂法生长高均匀性Hg_(1-x)Cd_xTe体晶材料的工艺研究[J]红外技术.2005,(05)
[2]杨彦,刘新进.用红外透射法确定任意厚度下碲镉汞晶体的组分[J]红外技术.2005,(01)
[3]杨彦，廖仕坤，宋炳文，刘新进.HgCdTe晶片杂质浓度的检测[J]红外技术.1994,(04)
[4]廖仕坤,杨彦,刘新进.HgCdTe的反常高电子迁移率[J]红外与激光工程.1997,(03)
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