丁斯晔
【姓名】 丁斯晔
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 -αSiC,纳米,HMDSO,等离子体化学气相沉积,碳化硅薄膜,扫描电子显微镜,实验研究,非晶碳,拉曼光谱,六甲基二硅氧烷,表面均匀性,化学气相沉积装置,颗粒组成,稀释气体,结晶度,等离子体增强,氢气...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 合肥
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[1]丁斯晔;颜官超;朱晓东;周海洋;.Structural Evolution of SiC Films During Plasma-Assisted Chemical Vapour Deposition[J]Plasma Science and Technology.2009,(02)
[2]颜官超;丁斯晔;朱晓东;周海洋;温晓辉;丁芳;.HMDSO/H_2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究[J]真空科学与技术学报.2006,(04)
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