余山
【姓名】 余山
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 三层胶工艺,多晶硅,侧墙,轻掺杂漏,RIE,MOSFET,二氧化硅侧墙,侧墙工艺,亚微米,集成电路工艺,短沟道,亚微米图形,厚胶,LDD结构,热载流子效应,正胶,击穿电压,反应离子刻蚀,工艺研究,优化...
【工作单位】 中国航天科技集团西安微电子技术研究所
【曾工作单位】 中国航天科技集团西安微电子技术研究所;
【所在地域】 陕西临潼
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[1]章定康，余山，黄敞.用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺[J]微电子学与计算机.1994,(01)
[2]余山,章定康,黄敞.轻掺杂漏(LDD)MOS FET工艺研究[J]微电子学与计算机.1989,(01)
[3]余山,章定康,黄敞.等离子刻蚀二氧化硅[J]微电子学与计算机.1989,(01)
[4]余山;章定康;黄敝;.反应离子刻蚀(RIE)Si_3N_4的研究[J]电子工艺技术.1991,(05)
[5]余山,章定康,黄敞.亚微米LDD MOSFET’s集成电路的优化设计及研制[J]半导体学报.1992,(07)
[6]余山,章定康,黄敞.反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用[J]微电子学.1992,(04)
[7]余山,章定康,黄敞.三层胶工艺研究及其在IC's中的应用[J]微细加工技术.1992,(01)
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