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黄敬
【姓名】
黄敬
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
热载流子,侧壁,优化工艺条件,多晶,亚微米,VLSI,优化工艺,MOSFET,LDD结构,轻掺杂,常规器件,沟道,横向电场,有效沟道长度,沟道长度,器件性能,复性,注入剂,优化设计,射频功率,
【工作单位】
中国航天科技集团西安微电子技术研究所
【曾工作单位】
中国航天科技集团西安微电子技术研究所;
【所在地域】
西安
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到1篇
[1]徐大林,王方,李荫波,彭忠献,黄敬.
应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究
[J]半导体学报.1990,(02)
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