石仲斌
【姓名】 石仲斌
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体敏感元件与专用集成电路的研制和开发工作
【发表文献关键词】 温控晶闸管,注入光敏器件,间接耦合,开关温度,光电探测器,微光探测器,温敏器件,注入电流,p－n结,光敏三极管,晶闸管,耦合系数,三极,光电二极管,光敏器件,控制极,探测率,传感器,小信号电流,直流放...
【工作单位】 中国船舶重工集团中国舰船研究院
【曾工作单位】 中国船舶重工集团中国舰船研究院;
【所在地域】 武汉
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[1]石仲斌.对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷[J]半导体光电.1999,(06)
[2]石仲斌.开路p－n结对近邻光电二极管特性的影响[J]固体电子学研究与进展.1994,(02)
[3]石仲斌.间接耦合光电探测器的讨论[J]传感技术学报.1996,(03)
[4]石仲斌.注入光敏器件的探讨[J]半导体光电.1997,(04)
[5]石仲斌.光敏三极管光电特性[J]半导体光电.1998,(04)
[6]石仲斌,方大卫.温控晶闸管导通温度的设计[J]固体电子学研究与进展.1992,(01)
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