陈志远
【姓名】 陈志远
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 DMOS,功率延迟积,硅栅自对准,环形振荡器,漂移区,沟道区,传播延迟时间,漏结,微焦耳,D电路,毫微秒,有效沟道长度,硅栅,MOS管,电源电压,光刻精度,净杂质浓度,增益因子,杂质浓度,集成电路,
【工作单位】 中国航天科技集团第七七一研究所
【曾工作单位】 中国航天科技集团第七七一研究所;
【所在地域】
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[1]陈志远,崔炳俊.DMOS器件和DMOS E/D集成电路[J]半导体技术.1979,(Z1)
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