|
[1]李全葆,王跃,韩庆林,马庆华.大直径HgCdTe晶体生长研究[J]激光与红外.2004,(03)
|
|
[2]王跃,李全保,韩庆林,宋炳文,介万奇,周尧和.固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程[J]半导体光电.2000,(01)
|
|
[3]王跃,宋炳文,刘朝旺,王静宇,杨玉林,介万奇,周尧和.MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择[J]半导体光电.2000,(04)
|
|
[4]王跃,李全保,韩庆林,宋炳文,介万奇,周尧和.Bridgman法生长HgCdTe晶体的初始速度选择[J]红外技术.2000,(01)
|
|
[5]王跃,李全保,韩庆林,马庆华,宋炳文,介万奇,周尧和.晶体生长过程中首先凝固点的实验观察[J]红外技术.2000,(04)
|
|
[6]李全葆,王跃,韩庆林,李玉德,宋炳文.HgCdTe固态再结晶技术工艺改进[J]红外与激光工程.2000,(03)
|
|
[7]李全葆,王跃,韩庆林,李玉德,宋炳文.HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进[J]激光与红外.2000,(01)
|
|
[8]王跃,李全保,韩庆林,马庆华,宋炳文,介万奇,周尧和.改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响[J]人工晶体学报.2000,(01)
|
|
[9]王跃,李全保,韩庆林,马庆华,宋炳文,介万奇,周尧和.加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体[J]半导体学报.2001,(04)
|
|
[10]韩庆林,王跃,李全保,吴刚,马庆华.大直径HgCdTe晶体的结构缺陷分析[J]红外技术.2001,(02)
|
|
更多
|