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刘卫国
【姓名】
刘卫国
【职称】
【研究领域】
物理学;无机化工;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
立方氧化锆,掺质,晶体,氧化铅,晶体生长,稳定剂,熔体,氧化镁晶体,相图,立方相,助熔剂生长,晶体性能,人工晶体,钻石,晶体常数,导热系数,晶体颜色,红宝,Y_2O_3,匹配曲线,天然,宝石,合成宝石...
【工作单位】
中国非金属矿工业(集团)中非人工晶体研究院
【曾工作单位】
中国非金属矿工业(集团)中非人工晶体研究院;
【所在地域】
北京
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共找到11篇
[1]傅林堂,刘卫国.
稳定立方氧化锆晶体的生长
[J]人工晶体.1984,(02)
[2]刘卫国,付林堂.
稳定立方氧化锆晶体的掺质生长及色泽研究
[J]人工晶体.1985,(Z1)
[3]付林堂,刘卫国,李加季.
立方氧化锆晶体生长与性质
[J]人工晶体.1985,(Z1)
[4]刘卫国,付林堂.
稳定立方氧化锆晶体掺质生长与色泽研究
[J]人工晶体.1986,(01)
[5]刘卫国;.
红外窗口材料——立方氧化锆晶体
[J]激光与红外.1987,(07)
[6]刘卫国;.
人工合成宝石
[J]材料科学与工程.1988,(02)
[7]刘卫国;.
高频冷坩埚技术在材料科学研究中的应用
[J]硅酸盐通报.1989,(01)
[8]刘卫国;.
ALN粉末合成进展
[J]硅酸盐通报.1989,(02)
[9]刘卫国,王国方,付林堂,钦明亮.
MgO单晶生长
[J]人工晶体学报.1990,(02)
[10]刘卫国,付林堂,钦明亮.
Cr~(3+):Al_2O_3晶体的助熔剂生长
[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
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