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王静宇
【姓名】
王静宇
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;工业通用技术及设备;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】
碲镉汞薄膜,有机金属化合物汽相外延,MOVPE,CdTe薄膜,表面形貌,生长工艺,BST,退火,CdTe,MOCVD,汽相外延,衬底材料,HgCdTe,GaAs薄膜,有机金属化合物,薄膜生长,BST薄...
【工作单位】
中国兵器工业集团昆明物理研究所
【曾工作单位】
中国兵器工业集团昆明物理研究所;
【所在地域】
昆明
学术成果产出统计表
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到9篇
[1]吴刚;唐利斌;郝群;邓功荣;张逸韵;秦强;袁绶章;王静宇;魏红;严顺英;谭英;孔金丞;.
基于Pt/GaN/AlGaN异质结高响应度双波段紫外探测器
[J]光学学报.2023,(03)
[2]袁绶章;赵文;孔金丞;王静宇;姜军;赵增林;姬荣斌;.
原位退火对碲锌镉晶体第二相夹杂缺陷的影响
[J]红外技术.2021,(07)
[3]王静宇;宋林伟;孔金丞;吴军;洪雁;张阳;李东升;.
液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究
[J]红外技术.2018,(10)
[4]周连军;王静宇;田丽萍;任华;袁绶章;李东升;舒畅;王晓娟;谢刚;周嘉鼎;.
液相外延碲镉汞表面化学腐蚀研究
[J]红外技术.2015,(06)
[5]郭杰,普朝光,杨明珠,王静宇,阚家德,杨宇.
退火温度对铁电薄膜钛酸锶钡的影响
[J]红外技术.2003,(04)
[6]王跃,宋炳文,刘朝旺,王静宇,杨玉林,介万奇,周尧和.
MOCVD外延碲镉汞薄膜的生长工艺选择
[J]半导体光电.2000,(04)
[7]王静宇,刘朝旺,杨玉林,宋炳文.
碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性
[J]红外技术.2000,(05)
[8]王静宇,刘朝旺,杨玉林,宋炳文.
MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制
[J]稀有金属.1999,(01)
[9]宋炳文,刘朝旺,王跃,王静宇,杨玉林.
碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长
[J]红外与激光工程.1997,(04)
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中国重要会议全文数据库
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[1]郭杰;王静宇;李振豪;.
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