汤志杰
【姓名】 汤志杰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 外延层,汽相生长,碲镉汞,CdTe,汽相,MCT材料,外延生长,汞Hg,开管,组分,等温,多晶,低温区,载流子浓度,生长时间,外延晶膜,蒸发源,生长速率,x值,外延,
【工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所
【曾工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所;
【所在地域】 昆明
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[1]王跃;汤志杰;庄维莎;何景福;.液相外延MCT薄膜表面形貌观察及与组分的关系[J]红外与激光技术.1990,(04)
[2]王跃,汤志杰,庄维莎,何景福.碲镉汞外延层的汽相生长[J]人工晶体学报.1991,(Z1)
[3]王跃;汤志杰;庄维莎;何景福;.MCT液相外延薄膜的生长和特性[J]红外技术.1991,(01)
[4]王跃;汤志杰;庄维莎;何景福;.液相外延MCT薄膜的缺陷分析[J]红外与激光技术.1991,(05)
[5]王跃;汤志杰;庄维莎;何景福;.MCT液相外延薄膜的研制[J]红外技术.1991,(06)
[6]王跃;蔡毅;何永成;汤志杰;孙建坤;庄维莎;.碲镉汞液相外延薄膜的应力研究[J]红外技术.1992,(04)
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