苏岗
【姓名】 苏岗
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子束刻蚀,HgCdTe芯片,光致抗蚀,光敏面,芯片,光导HgCdTe,温度限,光致抗蚀剂,表面温度,热接触,探测器,刻蚀条件,工作台,离子束,硅脂,刻蚀时间,束流密度,传导介质,刻蚀过程,热传导,
【工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所
【曾工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所;
【所在地域】
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[1]苏岗,洪锦华,吴思晋.离子束刻蚀光导HgCdTe探测器芯片的温度限制[J]红外技术.1997,(04)
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