廖仕坤
【姓名】 廖仕坤
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 杂质浓度,反常高电子迁移率,碲镉汞,红外透射,反相畴,HgCdTe晶片,非极性半导体,晶片,本征浓度,两步生长,数据库C++Builder ObjectBench,极性半导体,HgCdTe,GaAs/...
【工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所
【曾工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所;
【所在地域】 昆明
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[1]廖仕坤.霍尔自动测试系统及使用C++Builder开发霍尔自动测试软件　　[J]昆明理工大学学报(理工版).2002,(02)
[2]刘翔,吴长树,张鹏翔,赵德锐,陈庭金,廖仕坤,杨家明.Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除[J]半导体光电.2002,(01)
[3]刘翔,吴长树,张鹏翔,角忠华,赵德锐,陈庭金,廖仕坤,杨家明.两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较[J]半导体光电.2002,(02)
[4]杨彦，廖仕坤，宋炳文，刘新进.HgCdTe晶片杂质浓度的检测[J]红外技术.1994,(04)
[5]廖仕坤,杨彦,刘新进.HgCdTe的反常高电子迁移率[J]红外与激光工程.1997,(03)
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