罗尹虹
【姓名】 罗尹虹
【职称】 副研究员;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;电力工业;
【研究方向】 半导体器件抗辐射加固方面的研究
【发表文献关键词】 Faraday筒,总剂量效应,MOS器件,时间关联,阈值电压,单粒子翻转,60Co-γ,总剂量,辐射效应,CMOS电路,敏感区域,重离子微束,电压漂移,氧化物陷阱电荷,射线源,CC400,脉冲辐照,界...
【工作单位】 陕西省西北核技术研究所
【曾工作单位】 陕西省西北核技术研究所;
【所在地域】 陕西西安
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[2]赵雯;郭红霞;罗尹虹;丁李利;张科营;.基于二维查找表的SET耦合注入方法[A].第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会论文集.2010-10-17
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[4]罗尹虹;郭红霞;陈伟;姚志斌;张凤祁;郭刚;苏秀娣;陆虹;.2k SRAM重离子微束单粒子翻转实验研究[A].第十三届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（下册）.2006-10-01
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[6]罗尹虹;郭红霞;张凤祁;姚志斌;何宝平;岳素格;.0.6μm MOS器件稳态高剂量率电离辐射总剂量效应研究[A].第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（2）.2008-07-01
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