罗伊虹
【姓名】 罗伊虹
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 脉冲X射线,PMOSFET,场效应晶体管,辐射效应,电压漂移,PMOS,阈电压,辐照效应,吸收剂量,辐照,界面态,退火过程,感生,界面电势,热释光,氧化物陷阱电荷,界面陷阱电荷,氧化物电荷,剂量片,管...
【工作单位】 陕西省西北核技术研究所
【曾工作单位】 陕西省西北核技术研究所;
【所在地域】 西安
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[1]靳涛,杨志安,杨祖慎,姚育娟,罗伊虹.PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应[J]核技术.2005,(02)
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