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[1]贺朝会,耿斌,杨海亮,陈晓华,李国政,王燕萍.浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析[J]电子学报.2003,(08)
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[2]贺朝会,耿斌,杨海亮,陈晓华,王燕萍,李国政.浮栅ROM器件的辐射效应实验研究[J]物理学报.2003,(01)
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[3]贺朝会,耿斌,杨海亮,陈晓华,李国政,王燕萍.浮栅ROM器件辐射效应机理分析[J]物理学报.2003,(09)
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[4]贺朝会,耿斌,陈晓华,张前美,杨海亮,李国政,刘恩科.pA量级质子束流测量系统[J]核电子学与探测技术.2000,(01)
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[5]贺朝会,陈晓华,李国政,刘恩科,王燕萍,姬林,耿斌,杨海亮.FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究[J]核电子学与探测技术.2000,(02)
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[6]贺朝会,杨海亮,耿斌,陈晓华,李国政,刘恩科,罗晋生.静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究[J]核电子学与探测技术.2000,(04)
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[7]唐本奇,王燕萍,耿斌,陈晓华.功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法[J]计算物理.2000,(Z1)
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[8]张正选,李国政,罗晋生,陈晓华,姬琳,王燕萍,巩玲华.利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究[J]强激光与粒子束.2000,(01)
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[9]唐本奇,王燕萍,耿斌,陈晓华.功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟[J]原子能科学技术.2000,(02)
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[10]唐本奇,王燕萍,耿斌,陈晓华,贺朝会,杨海亮.用~(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法[J]原子能科学技术.2000,(04)
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